海力士HBM新芯片将提前量产

       韩媒《The Elec》引述SK海力士高层说法指出,该公司打算在2026年开始量产HBM4E,比原先计划还提前一年达阵。分析师表示,受到人工智能(AI)爆炸性需求挹注,带动高性能内存芯片供不应求,预料今年此类芯片供应吃紧情况将延续至明年。

  SK海力士HBM技术团队负责人与研究员Kwi Wook Kim于13日在首尔举行的研讨会表示,随着技术不断进展,新一代高带宽内存(HBM)的更新周期由2年缩短到1年,第七代HBM投入量产时间由2027年提前到2026年。

  HBM4E将是SK海力士以10纳米级第六代(1c)DRAM打造的首款芯片。

  另据CNBC报导引述内存芯片大厂SK海力士与美光说法,两业者2024年生产高带宽内存(HBM)芯片已经售罄,就连2025年的HBM产量几乎被预订一空。

  晨星股票研究部门主管日前发布报告指出,“我们预期整个2024年内存供应仍将维持紧俏。”

  SK海力士已供应英伟达HBM芯片,传另一家韩国芯片巨头三星电子也列为考虑中的潜在供应商。

  Nasdaq IR Intelligence主管贝利表示,这些HBM的芯片制造更加复杂,提高产量也相当困难,这可能使HBM芯片到年底前、以及2025年大部分时间都会出现短缺。

  《韩国经济日报》报导,全球两大内存芯片厂三星与SK海力士皆认为,AI技术热潮推升今年DRAM和HBM价格维持坚挺,两公司已将逾2成的DRAM产线转为生产HBM芯片,以因应HBM旺盛需求。